6月2日，在台北电脑展上，SK集团会长崔泰源向媒体证实，全球第二大存储芯片制造商SK海力士将在未来五年内，将旗下内存晶圆的总产能提升一倍。崔泰源明确指出，这一庞大的资本支出计划主要源于人工智能引发的持久性需求，并预计由AI驱动的内存短缺至少会延续到2030年。

SK海力士此次表态较以往更为激进。此前，公司已多次扩大高带宽内存（HBM）的产能投资，以满足英伟达等AI芯片巨头的订单。但崔泰源说的是“内存晶圆产能”，这意味着无论是用于HBM的先进DRAM，还是更主流的DDR5及NAND闪存，都可能迎来规模倍增。参照此前规划，其位于韩国清州的新晶圆厂M15X预计2025年底投产，而进一步产能翻倍需新建更多生产线。

AI驱动内存需求进入长期结构性增长 随着大语言模型参数规模迈向万亿级别，单张GPU搭载的HBM容量持续攀升。英伟达的H100配备80GB HBM，而下一代B200则进一步提升。同时，服务器CPU对内存带宽和大容量的需求同步跳升。这种趋势下，HBM及整个内存行业的供需失衡已经显现。崔泰源的“2030年”论断，为AI算力产业链的长期投入释放了强烈信号。

产能翻倍需时，短期供应紧张无解 然而，五年扩产周期意味着远水难解近渴。晶圆厂从动工到量产普遍需两至三年，良率爬坡和客户验证还将占用时间。业界预计，至少到2026年，HBM仍将处于供不应求状态。内存价格高企会直接推高AI服务器成本，可能影响部分企业的大规模部署节奏。另一面，对SK海力士而言，提前锁定长期需求带来财务乐观预期，但大规模资本支出若遇需求反转也将形成风险。

全球存储竞赛再起，HBM格局面临挑战 SK海力士在HBM市场暂居首位，但三星电子和美光均在奋力追赶。三星已宣布最早今年第三季度量产HBM3E 12层产品，美光则全力争取成为英伟达的第二供应商。当头部厂商均大幅扩产，未来行业利润可能承压。然而从AI产业整体看，更充裕的内存供应将解开束缚在高端算力上的“内存墙”，有利于大模型训练和推理成本长期下降，进而加速应用端创新。

站在“五层蛋糕”视角，本次产能扩张直指芯片层中的存储节点，与基础设施层的高性能计算服务器紧密相连。若计划顺利落地，将进一步巩固AI硬件投资的长期逻辑，并为上层模型训练和应用爆发提供更坚实的物质基础。